삼성 갤럭시 S25 엑시노스 2500 GAA(Gate All Around) 3나노 공정

삼성전자는 내년 초 출시될 갤럭시 S25를 통해 스마트폰 시장에서 혁신적인 성능을 선보일 예정이며, 삼성 파운드리의 3 나노 GAA 반도체 공정 기술이 함께 적용될 예정입니다. 이번 글에서는 갤럭시 S25의 성능을 좌우할 삼성 파운드리의 3 나노 GAA 반도체 공정에 관한 새로운 소식을 살펴보겠습니다.

엑시노스 2400 스냅드래곤 8 Gen3 CPU 긱벤치 성능

먼저 갤럭시 S24의 출시와 관련하여, 두 가지 주요 프로세서 옵션의 성능 차이를 살펴보겠습니다. 갤럭시 S24와 갤럭시 S24 플러스 모델은 시장에 따라 탑재된 칩셋이 다릅니다. 미국과 중국에서 판매되는 모델에는 퀄컴의 스냅드래곤 8 Gen3가 탑재되었으며, 한국을 포함한 다른 나라에서 판매되는 모델에는 삼성의 엑시노스 2400이 탑재되었습니다.

- 퀄컴 스냅드래곤 8 Gen3
싱글 코어 : 갤럭시 S24에서 싱글 코어 테스트에서 2234점을 기록했습니다.
멀티 코어 : 멀티 코어 테스트에서는 6807점을 기록했습니다.

- 삼성 엑시노스 2400
싱글 코어 : 갤럭시 S24에서 싱글 코어 테스트에서 2067점을 기록했습니다.
멀티 코어 : 멀티 코어 테스트에서는 6520점을 기록했습니다.

두 프로세서의 긱벤치 점수를 비교해 보면 스냅드래곤 8 Gen3가 엑시노스 2400에 비해 싱글 코어와 멀티 코어 성능에서 모두 더 높은 점수를 기록한 것을 확인할 수 있습니다. 이러한 차이로 인해 스냅드래곤 8 Gen3를 탑재한 모델은 약간 더 높은 성능을 가지고 있습니다. 그러나, 성능 차이가 반드시 모든 사용 시나리오에서 크게 영향을 주는 것은 아닙니다. 실제 사용 환경에서는 두 칩셋의 성능 차이가 크게 느껴지지 않을 수 있으며, 두 모델 모두 강력한 성능을 제공합니다. 이제 갤럭시 S24의 이러한 성능에 대한 배경을 바탕으로, 내년 초 출시될 갤럭시 S25에 대한 이야기를 이어가겠습니다.

삼성 엑시노스 2500

갤럭시 S24에 탑재된 프로세서들의 성능을 기반으로 삼성 파운드리의 3 나노 GAA 기술에 대한 새로운 전망을 살펴보겠습니다. 엑시노스 2400과 스냅드래곤 8 Gen3 모두 ARM의 코텍스 CPU 코어를 활용하고 있습니다. 싱글 코어 성능 면에서 TSMC의 4 나노 공정으로 제조된 스냅드래곤 8 Gen3가 삼성의 4 나노 공정으로 제조된 엑시노스 2400보다 8% 빠른 연산 속도를 보인 것으로 나타났습니다.

 

그러나 이러한 차이는 그다지 크지 않아 두 칩셋의 성능이 매우 유사함을 보여주고 있습니다. 흥미롭게도, 엑시노스 2500이 퀄컴의 스냅드래곤 8 Gen4를 능가할 것이라는 전망이 있습니다. 이는 펜다플래시를 비롯한 여러 소식통에서 전해진 정보입니다. 엑시노스 2500의 전력 효율이 스냅드래곤 8 Gen4를 앞설 것으로 예상되는 주된 이유는 삼성 파운드리의 2세대 GAA 3 나노미터 공정 기술 때문입니다.

스냅드래곤 8 Gen4

삼성의 GAA(Gate-All-Around) 3 나노 공정은 퀄컴의 스냅드래곤 8 Gen4에 탑재될 TSMC의 3 나노 FinFET 공정과 비교하여 엑시노스 2500의 전력 효율이 뛰어날 것으로 예상됩니다. 이 차이는 삼성의 GAA 공정이 FinFET보다 진보한 기술이기 때문입니다. 4 나노 공정에서 삼성과 TSMC는 모두 FinFET 공정을 사용했습니다. 그러나 삼성은 3 나노부터 GAA로 전환하며 혁신적인 변화를 시도했습니다.

 

이와 달리, TSMC는 2 나노 공정까지 FinFET를 유지하고 있으며, 이후에 GAA로 전환할 예정입니다. 삼성의 GAA 3 나노 공정은 트랜지스터를 더욱 효율적으로 설계하여 전력 효율을 크게 개선할 수 있습니다. 이로 인해 엑시노스 2500은 스냅드래곤 8 Gen4보다 더 뛰어난 전력 효율을 보일 것으로 예상됩니다. 이러한 결과는 삼성의 GAA 기술이 반도체 업계에서 선도적인 지위를 확립하고 있다는 것을 보여주는 중요한 지표로 볼 수 있습니다.

삼성 파운드리 3 나노 GAA 반도체 공정

삼성 파운드리 3 나노 GAA 반도체 공정에 대해 알아보겠습니다. 삼성은 3 나노미터 공정에서 게이트올어라운드(GAA) 구조를 채택하여 반도체 제조 기술의 새로운 기준을 제시하고 있습니다. 이 공정은 기존의 핀펫(FinFET) 공정과 비교하여 성능과 전력 효율을 크게 향상시킬 것으로 예상됩니다. 3 나노 GAA 공정은 트랜지스터의 게이트 길이를 줄이고 전력 효율을 높이는 데 도움을 줍니다. 이를 통해 반도체의 속도와 효율이 개선되고, 다양한 분야에서 활용될 수 있는 고성능 반도체 칩을 제조할 수 있습니다. 삼성의 3 나노 GAA 공정은 AI, 데이터 센터, 모바일 기기, 자율 주행 차량 등 다양한 산업 분야에서 혁신적인 기술 적용이 가능해질 것으로 보입니다. 이러한 기술은 갤럭시 S25와 같은 최신 스마트폰에서도 중요한 역할을 할 것이며, 고급 기능과 향상된 사용자 경험을 제공할 것입니다.

정리 및 마무리

TSMC가 3 나노 공정으로 전환하면서 약간의 어려움을 겪은 것은 사실입니다. TSMC 3 나노 공정으로 제조된 A17 프로 칩을 탑재한 아이폰 15 프로는 TSMC 4 나노 공정으로 제조된 스냅드래곤 8 Gen3를 탑재한 갤럭시 S24에 비해 전력 효율과 GPU 성능 면에서 열세를 보였습니다. 이로 인해 TSMC가 3 나노 공정으로의 전환 과정에서 일어나는 어려움을 확인할 수 있었습니다. 삼성이 GAA 3 나노 공정으로 엑시노스 2500을 제조함으로써 이러한 기술적 난관을 극복하고 TSMC와 경쟁에서 우위를 차지할 가능성이 있습니다. GAA 기술은 FinFET에 비해 트랜지스터의 설계를 개선하고 성능을 향상시킬 수 있어, 엑시노스 2500이 스냅드래곤 8 Gen4에 비해 뛰어난 전력 효율과 성능을 제공할 것으로 예상됩니다.

 

 

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